超高真空CsI 碘化铯闪烁体成像真空蒸镀膜设备-医疗成像,安检等. CsI 碘化铯闪烁体成像真空蒸镀设备是一种用于在真空环境下将碘化铯材料蒸发并沉积到特定基板上,以制备碘化铯闪烁体薄膜用于成像的设备. 其工作原理为: 真空环境创造:通过真空泵组等设备将蒸镀腔室内的气体抽出,降低腔室内的气压,减少气体分子对蒸发原子或分子的散射和碰撞,使蒸发材料能够较为直线地到达基底表面,提高沉积的均匀性和效率 。 材料蒸发:将 CsI 闪烁体材料放置在蒸发源中,蒸发源通常采用电阻加热、电子束加热等方式。当加热到一定温度时,CsI 材料由固态转变为气态,以原子或分子的形式从蒸发源表面逸出 。 薄膜沉积:逸出的 CsI 气态原子或分子在真空环境中向基底表面扩散,并在基底上沉积下来,形成一层均匀的碘化铯闪烁体薄膜 。通过精确控制蒸发源的温度、蒸发时间、基底的温度和旋转速度等参数,可以实现对薄膜厚度、均匀性和结晶质量的控制 。
永容科技团队与终端使用客户紧密合作, 成功开发研制了RT-CsI950 的标准生产型镀膜设备. 此蒸镀系统主要组成为:
1. 真空系统:一般由机械泵、分子泵、真空阀门、真空管道和真空测量仪器等组成。机械泵用于初步抽气,将腔室内的气压降低到一定程度,分子泵则进一步提高真空度,达到高真空或超高真空环境。真空阀门用于控制气体的进出和真空系统的隔离,真空测量仪器实时监测腔室内的真空度 。
2. 蒸发源系统:是产生 CsI 材料蒸发的关键部分,常见的有电阻蒸发源和电子束蒸发源。电阻蒸发源通过电流通过高电阻材料产生热量来加热 CsI 材料,结构简单、成本较低,但加热温度有限。电子束蒸发源利用电子束轰击 CsI 材料使其蒸发,能够提供更高的能量密度和更精确的加热控制,适用于高熔点材料和对薄膜质量要求较高的场合 。
3. 基板加热及冷却系统:基底加热系统可使基底保持在一定的温度,有助于 CsI 薄膜的沉积和结晶,提高薄膜的质量和性能。在蒸镀完成后,冷却系统可快速降低基底温度,便于取出样品和进行后续处理 。
4. 监控及控制系统:包括温度传感器、厚度监测仪等监测设备,以及用于控制蒸发源功率、基底温度、真空度等参数的控制系统。通过精确控制这些参数, 确保蒸镀过程的稳定性和重复性,从而获得高质量的 CsI 闪烁体薄膜 。
医疗成像:如 X 射线平板探测器、CT 探测器等。在这些设备中,CsI 闪烁体薄膜将 X 射线转换为可见光,再由光电二极管等器件将可见光转换为电信号,最终形成医学影像,用于疾病的诊断和治疗, 适用于 CCD 和 CMOS 设备.
工业检测:在工业无损检测领域,如焊接质量检测、材料内部缺陷检测等方面,CsI 闪烁体成像真空蒸镀设备可制备高性能的闪烁体探测器,提高检测的灵敏度和分辨率 。
安检设备:用于机场、车站等场所的行李安检和人体安检设备中,可快速、准确地检测出隐藏在行李或人体中的违禁物品,保障公共安全
概述:
可精确控制薄膜厚度和均匀性,制备出高质量的 CsI 闪烁体薄膜,满足高分辨率成像的要求;在真空环境下进行蒸镀,减少了杂质和气体分子的污染,提高了闪烁体的性能和稳定性;适用于大规模生产,能够制备大面积的闪烁体薄膜,满足不同尺寸探测器的需求.
真空系统: 采用先进的真空泵组和真空测量仪器,能够更快地达到高真空环境,且真空度的稳定性很好。设备采用高真空分子泵,抽速更高,真空腔室的漏气率更低,这有利于减少气体分子对碘化铯薄膜的污染,提高薄膜的性能。
薄膜厚度均匀性和精度控制:±1% 以内
设备配有先进的监控和反馈系统,采用晶振膜厚仪, 能够将薄膜厚度的误差控制在更小的范围内,一般可以达到 ±1% 以内甚至更高的精度。
设备稳定性和可靠性: 7/24 连续工做
经过多年的市场验证和技术积累,设备稳定性和可靠性能高. 能够在长时间、高强度的生产环境下稳定运行,故障率相对较低。设备的结构设计和零部件制造工艺较为成熟,各个部件之间的兼容性和协同工作能力更强,减少了因设备故障而导致的生产中断和产品质量问题。
碘化铯蒸镀膜层性能:
超高成像分辨率;
快速响应,成像更清晰;
一流的边缘到边缘图像区域;
光吸收层或反射层;
低患者 X 射线剂量;
碘化铯 PVD 真空镀膜设备的主要特点:
超高极限真空压力:9.0*10-5 Pa;
快速加热设备,获得良好的附着力;
选择合适的高真空泵和抽气系统,避免危险材料暴露在空气中;
坚固、紧凑、坚固的涂层系统;
高稳定性,可连续工作
英福康 膜厚控制器装置用于在线监测膜厚。
专为 CsI 沉积而设计和选择的蒸发坩埚。
基板尺寸:最大500*400mm
技术参数
描述 |
RT-CsI950 |
RTEP800 |
镀膜腔体 (mm) |
φ950 x H1350 |
φ800 x H800 |
装载量 |
2 |
1 |
蒸发源 |
2 |
4 |
烘烤除湿 |
Iodine tungsten lamp Max. 300℃ |
Iodine tungsten lamp Max. 200℃ |
极限真空 (Pa) |
8.0×10-5Pa |
5.0×10-4Pa |
膜厚仪 |
Quartz Control x 1 |
NONE |
耗电量(KW) |
Max. approx. 50 Average approx. 20 |
Max. approx. 20 Average approx. 10 |
占地面积 (L*W*H) |
3000*2150*2100mm |
1800*2300*2100mm |
操控系统 |
CE标准 HMI 程序 |
除了RT-CsI950 碘化铯蒸镀设备外,我们还提供其后处理设备,用于在CsI薄膜上面生成保护层。请联系永容科技技术服务团队了解更多信息!